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石英晶體振蕩器
	    Transko晶振,TX-N晶振,低電壓振蕩器.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
	      石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
TXC,NDK,希華.jpg)
	   Transko團隊導(dǎo)向的環(huán)境和高效的生產(chǎn)人員不斷讓我們的客戶滿意,并使我們能夠提供最好的支持.已實施質(zhì)量體系以滿足國家和國際質(zhì)量體系要求.質(zhì)量體系符合ISO9001:2008的要求,并不斷提高質(zhì)量管理體系的有效性.不斷致力于持續(xù)改進.Transko高精度晶振電子公司認識到這一點員工的發(fā)展以及他們的支持是實現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量始終如一,最終達到客戶滿意度的最重要因素.
格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
| 晶振項目 | 符號 | 產(chǎn)品規(guī)格 | 
|---|---|---|
| 標稱頻率 | f_nom | 13~52MHz | 
| 頻率穩(wěn)定度 | ppm | ±0.5ppm~±2.5ppm | 
| 輸出條件 | Clipped Sine wave | |
| 電源電壓 | Vcc | +1.8V~+3.3V | 
| 負載電容 | CL | 10pF | 
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 70kΩ Max. | 
| 絕對最大驅(qū)動電平 | DLmax. | 0.5μW Max. | 
| 驅(qū)動電平 | DL | 0.1μW typ. | 
| 并聯(lián)電容 | C 0 | 1.0pF typ. | 
| 頻率老齡化 | f_age | ±3x 10-6/Year | 
| 工作溫度 | T_use | -40℃~+85℃ | 
| 儲藏溫度 | T_stg | −55℃~+125℃ | 
TXC,NDK,希華.jpg)

			    粘合劑
		
			請勿使用可能導(dǎo)致VC-TCXO晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
		
			     鹵化合物
		
			請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
		
			     靜電
		
			過高的靜電可能會損壞石英晶體振蕩器,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
		
			     機械振動的影響
		
			當(dāng)無鉛晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計可小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
		
			     PCB設(shè)計指導(dǎo)
		
			(1)理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于TCXO振蕩器件的PCB板上.如果您安裝在同一個PCB板上,好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.
		
			(2)在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝.
		
			(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來使用.
		
			     輻射
		
			暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.
		
			     化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
		
			請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解美國有源晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
		
		
			    通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
美國Transko晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
美國Transko晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體振蕩器元器件、溫補晶體振蕩器、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團業(yè)務(wù)政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.
Transko晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去Transko晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責(zé)任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
			
				
		
	美國Transko晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
美國Transko晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體振蕩器元器件、溫補晶體振蕩器、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團業(yè)務(wù)政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.
Transko晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去Transko晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責(zé)任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.

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