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石英晶體振蕩器
- 編號(hào)：41456077
- 頻率：10~52MHz
- 尺寸：5.0*3.2*1.5mm
MTRONPTI晶振,M6053晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器
智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度晶振超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的...
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MTRONPTI晶振,M6053晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器.5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使有源晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).
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MtronPTI提供廣泛的精確頻率控制和數(shù)據(jù)定時(shí)解決方案,包括:射頻,微波和毫米波濾波器 - 晶體,陶瓷,諧振腔,集總元件,開(kāi)關(guān),數(shù)字可調(diào)諧和低噪聲/惡劣環(huán)境振蕩器 - 晶振,TCXO / VCXO ,烤箱和IEEE-1588鎖定.2014年,MTRONPTI晶振增加了毫米波金屬插入技術(shù)波導(dǎo)濾波器和最先進(jìn)的固態(tài)功率放大器.
格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
| 晶振項(xiàng)目 | 符號(hào) | 產(chǎn)品規(guī)格 |
|---|---|---|
| 標(biāo)稱頻率 | f_nom | 10~52MHz |
| 頻率穩(wěn)定度 | ppm | ±0.5ppm |
| 輸出條件 | Clipped Sine Wave | |
| 電源電壓 | Vcc | +3.0V |
| 負(fù)載電容 | CL | 10pF |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 70kΩ Max. |
| 絕對(duì)最大驅(qū)動(dòng)電平 | DLmax. | 0.5μW Max. |
| 驅(qū)動(dòng)電平 | DL | 0.1μW typ. |
| 并聯(lián)電容 | C 0 | 1.0pF typ. |
| 頻率老齡化 | f_age | ±3x 10-6/Year |
| 工作溫度 | T_use |
0℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃ |
| 儲(chǔ)藏溫度 | T_stg | −55℃~+105℃ |
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抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解SMD石英晶體振蕩器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.機(jī)械振動(dòng)的影響,當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至低功耗晶振使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的藍(lán)牙晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
MtronPTI晶振集團(tuán)將確保美國(guó)進(jìn)口晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒?dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
MtronPTI晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過(guò)去MtronPTI晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).
美國(guó)MtronPTI晶振將:通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).
遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi).MtronPTI晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.
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